磷化銦、22398-80-7 CAS查詢、磷化銦物化性質

發布時間:2024-10-18  瀏覽次數:143

 中文名稱： 磷化銦  

 中文別名： 磷化銦晶體INP;磷化銦(III);磷化銦, 99.9999% (METALS BASIS);磷化銦, 多晶塊, 99.99% (METALS BASIS);磷化銦, 99.999% (METALS BASIS);磷化銦, 多晶塊;磷化銦(III), 99.9999% (METALS BASIS);磷化銦粉  

 英文名稱： Indium phosphide  

 英文別名： InP;metel basisINDIUM PHOSPHIDE;INDIUM(III) PHOSPHIDE;Phosphinetriylindium(III);Phosphinidyneindium(III);Indium phosphide/ 99.999%;Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM;Indium phosphide wafer  

 CAS號： 22398-80-7  

 EINECS號： 244-959-5  

 分子式： InP  

 分子量： 145.79  

 InChI： InChI=1/In.P  

 分子結構：  

 密度： 4,787 g/cm³  

 熔點： -1070°C  

 沸點： -  

 閃點： -  

 折射率： -  

 蒸汽壓： -  

 物化性質： 磷化銦具有瀝青光澤的深灰色晶體。熔點1070℃。熔點下離解壓為2.75 Mpa。極微溶于無機酸。介電常數：10.8。電子遷移率：約4600 cm2/V?s。空穴遷移率：約150 cm2/V?s。具有半導體的特性。

磷化銦是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料之一，是繼硅（Si）、砷化鎵（GaAs）之后的新一代微電子、光電子功能材料，其因電子遷移率高、禁帶寬度大等特點，被廣泛應用于微波及光電器件領域。  

 產品用途： 用作半導體材料，用于光纖通訊技術，需要1.1～1.6μm范圍內的光源和接受器。在 InP襯底上生長In-GaAsP雙異質結激光器既能滿足晶格匹配，又能滿足波長范圍的要求。  

 危險品標志：  

 風險術語： -  

 安全術語： 避免接觸皮膚、避免接觸眼睛、如果發生事故或感到不適，請就醫立即提出建議（如有可能，展示標簽）、避免接觸-使用前獲得特殊說明