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傅里葉變換紅外光譜儀的結(jié)構(gòu)與原理(二)
發(fā)布時(shí)間:2017-09-01
6、定量分析方法
一般采用峰高法或峰面積法。
紅外光譜定量分析中一般采用基線法,即采用新基線代替零吸收線進(jìn)行補(bǔ)償。選譜帶兩側(cè)吸光度最小的兩點(diǎn)A和B,連成直線AB作為新的基線求峰高(即峰高法),如圖7.8所示。
求峰面積與峰高法一樣采用基線法,用新基線代替零吸收線進(jìn)行補(bǔ)償。如圖7.9所示,大基線選擇AB,峰面積從a積到b。


7、紅外譜圖解析
紅外吸收區(qū)域劃分如下:
(1)4000~2500cm-1:這個(gè)區(qū)域可以稱為X―H伸縮振動(dòng)區(qū),X可以是O,N,C和S原子,它們出現(xiàn)的范圍如下:
O―H 3650~3200cm-1
N―H 3500~3000cm-1
C―H 31OO~2800cm-1
S―H 2600~2500cm-1
(2)2500~2000cm-1:這個(gè)區(qū)域可以稱為叁鍵和累積雙鍵區(qū),其中主要包括有-c=C一,一C= N一等叁鍵的伸縮振動(dòng)和累積雙鍵-C=C=C-,一C=C=O,一N=C=O等的反對(duì)稱伸縮振動(dòng),累積雙鍵的對(duì)稱伸縮振動(dòng)出現(xiàn)在1100cm-1的指紋區(qū)里。
(3)2000~1500cm :這個(gè)區(qū)域可以稱為雙鍵伸縮振動(dòng)區(qū),萁中主要包括C―C,C―O,C―N,一NO。等的伸縮振動(dòng),以及 NH?;募羟姓駝?dòng)、芳環(huán)的骨架振動(dòng)等。
(4)1500~600cm-1:是部分單鍵振動(dòng)及指紋區(qū),這個(gè)區(qū)域的光譜比較復(fù)雜,主要包括C―H,O―H的變角振動(dòng),C―O,C―N,C―X(鹵素),N―O等的伸縮振動(dòng)及與C―C,C―O有關(guān)的骨架振動(dòng)等。
8、鏡面反射光譜技術(shù)
鏡面反射光譜技術(shù)用于收集平整、光潔的固體表面的光譜信息,如金屬表面的薄膜、金屬表面處理膜、食品包裝材料和飲料罐表面涂層、厚的絕緣材料、油層表面、礦物摩擦面、樹脂和聚合物涂層,鑄模塑料表面等。
在鏡面反射測(cè)量中,由于不同波長(zhǎng)位置下的折射指數(shù)有所區(qū)別,因而在強(qiáng)吸收譜帶范圍內(nèi),經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)類似于導(dǎo)數(shù)光譜的特征,這樣測(cè)得的光譜難以解釋。
如使用K-K(Kramers-Kronig)變換為吸收光譜后,可解決解析上的困難,如圖7.10所示。

9、漫反射光譜技術(shù)
漫反射光譜技術(shù)是收集高散射樣品的光譜信息,適合于粉末狀的樣品。
漫反射紅外光譜測(cè)定法其實(shí)是一種半定量技術(shù),將DR(漫反射)譜經(jīng)過(guò)KM(Kubelka-Munk)方程校正,如:

式中,f(R∞)是指校正后的光譜信號(hào)強(qiáng)度;R∞是指試樣在無(wú)限深度下(大于3cm)與無(wú)紅外吸收的參照物(如KBr)漫反射之比;K為分子吸收系數(shù)(常數(shù));S為試樣散射系數(shù)(常數(shù))。
DR原譜橫坐標(biāo)是波數(shù),縱坐標(biāo)是漫反射比R∞,經(jīng)Kubelka―Munk方程校正后,最終得到的漫反射光譜圖與紅外吸收譜圖相類似,如圖7.11所示。DR測(cè)量時(shí).無(wú)需KBr壓片,直接將粉末樣品放人試樣池內(nèi),用KBr粉末稀釋后,測(cè)其DR譜。用優(yōu)質(zhì)的金剛砂紙輕輕磨去表面的方法進(jìn)行固體制樣,可大大簡(jiǎn)化樣品準(zhǔn)備過(guò)程。并且在砂紙上測(cè)量已被磨過(guò)的樣品,可以得到高質(zhì)量的譜圖。由于金剛石的高散射性,用金剛石的粉末磨料可得到很好的結(jié)果。

10、衰減全反射光譜技術(shù)
衰減全反射光譜(ATR)技術(shù)用于收集材料表面的光譜信息,適合于普通紅外光譜無(wú)法測(cè)定的厚度大于0.1mm的塑料、高聚物、橡膠和紙張等樣品。
衰減全反射附件應(yīng)用于樣品的測(cè)量,各譜帶的吸收強(qiáng)度不但與試樣的吸收性質(zhì)有關(guān),還取決于光線的入射深度,其關(guān)系如下:

式中,dp為入射深度;a為人射角;λ1為光在光密介質(zhì)即多重反射晶體中的波長(zhǎng);n1為反射晶體的折射率;n2為樣品的折射率。式(7.6)表明,貫穿深度是人射光波長(zhǎng)λ1的函數(shù),當(dāng)入射角a和反射晶體折射率n1選定后,樣品折射率是固定的,那么,dp與λ1成正比。長(zhǎng)波(低波數(shù))區(qū)入射深度大、吸收強(qiáng),短波區(qū)則相反,這樣所獲得的ATR紅外譜圖就需要經(jīng)過(guò)MIR方程校正,如圖7.12所示。

參考資料:現(xiàn)代儀器分析實(shí)驗(yàn)與技術(shù)






