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氧化鉿、12055-23-1 CAS查詢、氧化鉿物化性質
發布時間：2024-10-17
中文名稱： 氧化鉿
中文別名： 氧化鉿(III);Hafnium (IV)鎜xide (99.998%-Hf) PURATREM;氧化鉿 (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR <1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV), 99.995%, (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR TYPICALLY <0.2%;氧化鉿, 99.95%, (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR TYPICALLY
英文名稱： Hafnium(IV) oxide
英文別名： HAFNIUM OXIDE, 99.99%;HafniuM(IV) oxide, 99.99%, (trace Metal basis);dioxohafniuM;HafniuM(IV) oxide, (trace Metal basis);Hafnium(IV) oxide powder, 98%;Hafnium oxide/ 99.999%;HAFNIUM OXIDE, 99.8%;HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%
CAS號： 12055-23-1
EINECS號： 235-013-2
分子式： HfO2
分子量： 210.49
InChI： InChI=1/Hf.2O/rHfO2/c2-1-3
分子結構：
密度： 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)
熔點： -2810 °C
沸點： -
閃點： -
折射率： 2.13 (1700 nm)
蒸汽壓： - 物化性質： -
產品用途：
二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數值(~ 20)，較大的禁帶寬度(~ 5.5 eV)，以及在硅基底上良好的穩定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統 SiO2 介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于 1 μm，以二氧化硅為傳統柵介質的技術會帶來芯片的發熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來越薄，但是漏電流的數值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。
二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統SiO2/Si結構的發展的尺寸極限問題。
危險品標志： -
安全術語： -
安全術語： 不要吸入灰塵、避免接觸皮膚、避免接觸眼睛
